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US6K4TR
价 格0.231464
品 牌ROHM
物料名称(类目)MOSFET
规 格无规格信息
下 载规格书
包 装卷带
最小包装数1
库 存3000PCS1个起订)
交 期
3-5(天)
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    0.231464
产品参数(仅供参考,以实际产品为准)
  • 工作温度范围:
    - 55 C to + 150 C
  • Id-连续漏极电流:
    1.5 A
  • Pd-功率耗散:
    1 W
  • Qg-栅极电荷:
    1.8 nC
  • Rds On-漏源导通电阻:
    130 mOhms
  • Vds-漏源极击穿电压:
    20 V
  • VGSS-栅源电压:
    10 V
  • Vgs th-栅源极阈值电压:
    1 V
  • 动作时间:
    5 ns
  • 正向跨导 - 最小值:
    1.6 S
  • 典型关闭延迟时间:
    20 ns
  • 典型接通延迟时间:
    5 ns
  • 晶体管极性:
    N-Channel
  • 晶体管类型:
    2 N-Channel
  • 通道模式:
    Enhancement
  • 通道数量:
    2 Channel
  • 复位时间:
    3 ns
  • 三极管个数:
    Dual
  • 安装方式:
    SMD/SMT
  • RoHS:
    详细信息
  • 包装方式:
    Reel
  • 封装/尺寸(in/mm):
    TUMT-6
  • 原厂包装数量:
    3000